λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι προϊόντα

Ενότητα FF50R12RT4 34mm 1200V διπλό IGBT δύναμης Infineon IGBT με τη γρήγορα τάφρο/Fieldstop

Name: Ενότητα FF50R12RT4 34mm 1200V διπλό IGBT δύναμης Infineon IGBT με τη γρήγορα τάφρο/Fieldstop
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF50R12RT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

Ονομασία μάρκας:	Infineon
Αριθμός μοντέλου:	FF50R12RT4
Τροποποιημένο:	1 ομάδα
Όροι πληρωμής:	T / T
Ικανότητα εφοδιασμού:	1000sets

Λεπτομέρειες

Περιγραφή του προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Κίνα

VCES:

1200V

Ολοκληρωμένο κύκλωμα nom:

50A

ICRM:

100A

Εφαρμογές:

Drive μηχανών

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά γνωρίσματα:

Χαμηλές απώλειες μετατροπής

Συσκευασία λεπτομέρειες:

Ξύλινο κουτί συσκευασίας

Δυνατότητα προσφοράς:

1000sets

Επισημαίνω:

ενότητα υψηλής δύναμης igbt

αυτοκίνητο igbt

Περιγραφή του προϊόντος

Γνωστές 34 χιλ. 1200V διπλές IGBT ενότητες Infineon FF50R12RT4 με τη γρήγορους τάφρο/fieldstop IGBT4 και τον εκπομπό ελεγχόμενους

Χαρακτηριστικές εφαρμογές

• Μετατροπείς υψηλής δύναμης

• Drive μηχανών

• Συστήματα UPS

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Εκτεταμένη θερμοκρασία Tvj op λειτουργίας

• Χαμηλές απώλειες μετατροπής

• Χαμηλό VCEsat

• Tvj op = 150°C

• VCEsat με το θετικό συντελεστή θερμοκρασίας

Μηχανικά χαρακτηριστικά γνωρίσματα

• Απομονωμένο πιάτο βάσεων

• Τυποποιημένη κατοικία

IGBT, αναστροφέας

Μέγιστες εκτιμημένες τιμές

Τάση συλλέκτης-εκπομπών	Tvj = 25°C	VCES	1200	Β
Συνεχές ρεύμα ΣΥΝΕΧΩΝ συλλεκτών	TC = 100°C, Tvj ανώτατο = 175°C	Ολοκληρωμένο κύκλωμα nom	50	Α
Επαναλαμβανόμενο μέγιστο ρεύμα συλλεκτών	tP = 1 κα	ICRM	100	Α
Συνολικός διασκεδασμός δύναμης	TC = 25°C, Tvj ανώτατο = 175°C	Ptot	285	W
Μέγιστη τάση πύλη-εκπομπών		VGES	+/-20	Β

Χαρακτηριστικές τιμές

Τάση κορεσμού συλλέκτης-εκπομπών	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VGE = 15 Β Tvj = 25°C Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VGE = 15 Β Tvj = 125°C Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VGE = 15 Β Tvj = 150°C	VCE που κάθεται		1,85 2,15 2,25	2,15	Β VV
Τάση κατώτατων ορίων πυλών	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 1,60 μΑ, VCE = VGE, Tvj = 25°C	VGEth	5,2	5,8	6,4	Β
Δαπάνη πυλών	VGE = -15 Β… +15 Β	QG		0,38		µC
Εσωτερικός αντιστάτης πυλών	Tvj = 25°C	RGint		4,0		Ω
Ικανότητα εισαγωγής	φ = 1 MHZ, Tvj = 25°C, VCE = 25 Β, VGE = 0 Β	Cies		2,80		nF
Αντίστροφη ικανότητα μεταφοράς	φ = 1 MHZ, Tvj = 25°C, VCE = 25 Β, VGE = 0 Β	Cres		0,10		nF
Ο συλλέκτης-εκπομπός έκοψε το ρεύμα	VCE = 1200 Β, VGE = 0 Β, Tvj = 25°C	ICE			1.0	μΑ
Ρεύμα διαρροής πύλη-εκπομπών	VCE = 0 Β, VGE = 20 Β, Tvj = 25°C	IGES			100	NA
Διεγερτικός χρόνος καθυστέρησης, επαγωγικό φορτίο	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VCE = 600 Β Tvj = 25°C VGE = ±15 Β Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TD επάνω		0,13 0,15 0,15		µs µs µs
Χρόνος ανόδου, επαγωγικό φορτίο	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VCE = 600 Β Tvj = 25°C VGE = ±15 Β Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	TR		0,02 0,03 0.035		µs µs µs
Χρόνος καθυστέρησης διακοπών, επαγωγικό φορτίο	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VCE = 600 Β Tvj = 25°C VGE = ±15 Β Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	TD μακριά		0,30 0,38 0,40		µs µs µs
Χρόνος πτώσης, επαγωγικό φορτίο	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VCE = 600 Β Tvj = 25°C VGE = ±15 Β Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	TF		0.045 0,08 0,09		µs µs µs
Διεγερτική ενεργειακή απώλεια ανά σφυγμό	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VCE = 600 Β, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 Β, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C	Eon		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
Ενεργειακή απώλεια διακοπών ανά σφυγμό	Ολοκληρωμένος κύκλωμα = 50 Α, VCE = 600 Β, LS = 30 NH Tvj = 25°C VGE = ±15 Β, du/dt = 3800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C	Eoff		2,50 4,00 4,50		MJ MJ MJ
Στοιχεία Sc	VGE ≤ 15 Β, VCC = 800 Β VCEmax = VCES - LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C	ISC		180		MJ MJ MJ
Θερμική αντίσταση, σύνδεση στην περίπτωση	IGBT/ανά IGBT	RthJC			0,53	K/W
Θερμική αντίσταση, caseto heatsink	ΚΑΘΕ IGBT/ΑΝΆ IGBT λPaste = 1 W (μ·Κ)/λgrease = 1 W (μ·Κ)	RthCH		0.082		K/W
Θερμοκρασία υπό τους όρους μετατροπής		Tvj op	-40		150	°C

Ετικέτες:

Ηλεκτρικός ενεργοποιητής βαλβίδων

Βαλβίδα σταθμών παραγωγής ηλεκτρικού ρεύματος

Ηλεκτρονικό έλεγχο αναμετάδοσης

Ελεγκτής ESP

Σύστημα ανάφλεξης υψηλής απόδοσης

Ψηφιακή ταχύτητα δείκτη

Περιστροφικός αισθητήρας ταχύτητας

Εφεδρείες τροφοδοτών άνθρακα

3 ηλεκτρικές μηχανές φάσης

Ζυγίζει τροφοδοσίας ελεγκτή

Μαγνητικοί ισόπεδοι μετρητές

Ηλεκτρονόμος προστασίας μετασχηματιστών

ΣΥΝΕΧΗΣ επαφέας

Συσκευές προστασίας χαμηλής τάσης

Ηλεκτρο υδραυλικό φρένο προωθητών

IGBT εξουσία ενότητα

Ηλεκτρικός ενεργοποιητής βαλβίδων

Βαλβίδα σταθμών παραγωγής ηλεκτρικού ρεύματος

Ηλεκτρονικό έλεγχο αναμετάδοσης

Ελεγκτής ESP

Σύστημα ανάφλεξης υψηλής απόδοσης

Ψηφιακή ταχύτητα δείκτη

Περιστροφικός αισθητήρας ταχύτητας

Εφεδρείες τροφοδοτών άνθρακα

3 ηλεκτρικές μηχανές φάσης

Ζυγίζει τροφοδοσίας ελεγκτή

Μαγνητικοί ισόπεδοι μετρητές

Ηλεκτρονόμος προστασίας μετασχηματιστών

ΣΥΝΕΧΗΣ επαφέας

Συσκευές προστασίας χαμηλής τάσης

Ηλεκτρο υδραυλικό φρένο προωθητών

IGBT εξουσία ενότητα

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Ενότητα FF50R12RT4 34mm 1200V διπλό IGBT δύναμης Infineon IGBT με τη γρήγορα τάφρο/Fieldstop

Ενότητα FF50R12RT4 34mm 1200V διπλό IGBT δύναμης Infineon IGBT με τη γρήγορα τάφρο/Fieldstop

ενότητα υψηλής δύναμης igbt

αυτοκίνητο igbt